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PM（智能功率模块）的电磁兼容性确实会受到外部干扰的影响。以下是对这一观点的详细解释：

一、电磁兼容性的定义电磁兼容性（EMC）是指设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁*扰的能力。简单来说，就是设备既能正常工作，又不会对其他设备产生干扰。

二、外部干扰对IPM电磁兼容性的影响干扰源：外部干扰源可能包括无线电发射设备（如移动通信系统、广播、电视、雷达）、工业设备（如高频手术刀、X光机、核磁CT等）、电力设备（如电机、继电器、电梯等）以及高速数字电子设备（如计算机和相关设备）等。这些干扰源可能产生电磁辐射或电磁感应，从而对IPM的电磁兼容性产生影响。干扰途径：外部干扰可能通过电源线、信号线、地线等路径进入IPM模块内部。一旦干扰信号进入模块内部，就可能对IPM的正常工作产生负面影响。敏感设备：IPM模块内部的电路和元件可能对外部干扰信号敏感。当干扰信号的强度超过一定阈值时，就可能引发IPM的误动作或故障。

    驱动器功率缺乏或选项偏差可能会直接致使IGBT和驱动器毁坏。以下总结了一些关于IGBT驱动器输出性能的计算方式以供选型时参见。IGBT的开关属性主要取决IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT门极电容分布示意图，其中CGE是栅极-发射极电容、CCE是集电极-发射极电容、CGC是栅极-集电极电容或称米勒电容（MillerCapacitor）。门极输入电容Cies由CGE和CGC来表示，它是测算IGBT驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE的电压有亲密联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies的值，在实际上电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，在测量电路中，加在集电极上C的电压一般只有25V(有些厂家为10V)，在这种测量条件下，所测得的结电容要比VCE=600V时要大一些(如图2)。由于门极的测量电压太低(VGE=0V)而不是门极的门槛电压，在实际上开关中存在的米勒效应。

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