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    在所述栅极结构的每一侧包括二个所述第二屏蔽电极结构，在其他实施例中，也能改变所述栅极结构和对应的所述第二屏蔽电极结构的数量和位置。所述沟槽101的步进为1微米～3微米，所述沟槽101的步进如图3a中的d1所示。在所述漂移区1和所述集电区9之间形成有由一导电类型重掺杂区组成的电场中止层8。本发明一实施例中，所述igbt器件为n型器件，一导电类型为n型，第二导电类型为p型。在其他实施例中也能为：所述igbt器件为p型器件，一导电类型为p型，第二导电类型为n型。本发明一实施例具有如下有益技术效果：1、本发明一实施例对器件单元结构中的栅极结构的屏蔽结构做了特别的设置，在栅极结构的两侧设置有形成于沟槽101中的屏蔽电极结构即第二屏蔽电极结构，再加上形成于栅极结构的沟槽101底部的一屏蔽电极结构，一起作用栅极结构的屏蔽电极，这种屏蔽电极结构由于是通过沟槽101填充形成，有利于缩小器件的沟槽101的步进，较小的沟槽101步进能从而降低igbt器件的输入电容、输出电容和逆导电容，提高器件的开关速度；2、本发明一实施例同时还将一屏蔽电极结构对应的一屏蔽多晶硅4a和第二屏蔽电极结构对应的第二屏蔽多晶硅4b都通过接触孔连接到金属源极，实现和发射区的短接。

    一个所述单元结构中包括5个所述沟槽101，在所述栅极结构的每一侧包括二个所述第二屏蔽电极结构。所述沟槽101的步进d1为1微米～3微米。步骤三、如图3b所示，在各所述沟槽101的底部表面和侧面形成一介质层3。如图3c所示，之后再在各所述沟槽101中填充一多晶硅层4，将所述一多晶硅层4回刻到和所述半导体衬底表面相平。步骤四、如图3d所示，采用光刻工艺将栅极结构的形成区域打开，将所述栅极结构的形成区域的所述沟槽101顶部的所述一多晶硅层4和所述一介质层3去除。步骤五、如图3d所示，在所述栅极结构的形成区域的所述沟槽101的顶部侧面形成栅介质层5以及所述一多晶硅层4的顶部表面形成多晶硅间介质层5a。步骤六、如图3d所示，在所述栅极结构的形成区域的所述沟槽101的顶部填充第二多晶硅层6，由所述第二多晶硅层6组成多晶硅栅6；所述多晶硅栅6底部的所述一多晶硅层4为一屏蔽多晶硅4a并组成一屏蔽电极结构，所述一屏蔽多晶硅4a侧面的所述一介质层3为一屏蔽介质层3a。在所述栅极结构两侧的所述沟槽101中的所述一多晶硅层4为第二屏蔽多晶硅4b并组成第二屏蔽电极结构，所述第二屏蔽多晶硅4b侧面的所述一介质层3为第二屏蔽介质层3b。

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