浙江常见Mitsubishi三菱IPM模块供应商 江苏芯钻时代电子科技供应

    对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明实施例提供的一种igbt器件的结构图；图2为本发明实施例提供的一种电流敏感器件的结构图；图3为本发明实施例提供的一种kelvin连接示意图；图4为本发明实施例提供的一种检测电流与工作电流的曲线图；图5为本发明实施例提供的一种igbt芯片的结构示意图；图6为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的结构示意图；图7为本发明实施例提供的一种igbt芯片的表面结构示意图；图8为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图9为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图10为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图11为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图12为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图13为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图14为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图15为本发明实施例提供的一种半导体功率模块的结构示意图；图16为本发明实施例提供的一种半导体功率模块的连接示意图。图标：1-电流传感器；10-工作区域；101-一发射极单元。

    传统焊锡)的高功率模块的制备方法。本发明的另一目的在于，提供一种奈米银粒子与微米银粒子的特定比例范围，且因主要组成银粒子的尺寸为100nm以下的奈米银粒子，故所使用的热处理温度低于250℃，可避免电子组件在封装制程中受到高温而破坏的高功率模块的制备方法。本发明的再一目的在于，提供一种采用全新非接触式探针点胶技术将可避免破坏基板的高功率模块的制备方法。本发明的又一目的在于，提供一种添加具有特殊设计之有机银离子化合物作为银前驱物，可有效提高烧结后热界面材料层之致密性，提高导热性质与机械性质，并且有效降低材料成本之高功率模块之制备方法。为达以上目的，本发明所采用的技术方案是：一种高功率模块的制备方法，其至少包含以下步骤：步骤一：提供一非接触式探针点胶设备，以非接触式探针配合电压量测自动回馈方式，将一银基奈米浆料涂布在一散热基板上，而该银基奈米浆料以重量份计，包含65～70份银基金属粒子、5～10份有机银离子化合物、1-5份有机添加物、以及30～40份一溶剂；其中该银基金属粒子由作为主银粒子、表面由有机酸保护，且粒径小于100nm的奈米银粒子，以及作为副银粒子且粒径为500～1000nm的微米银粒子组成。

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